“芯” 纪元・“合” 未来｜芯合半导体新品发布会圆满举办

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庐州冬韵启新程，巢湖之畔“芯”潮起。12 月 4 日，在“科教之城” 合肥，芯合半导体 “芯” 纪元・“合” 未来新品发布会圆满举办。投资人代表、客户代表、技术专家与行业学者齐聚一堂，在科技与城市创新氛围的交融中，共同见证碳化硅功率芯片制造技术的全新突破。

芯合半导体总经理 赵清

赵清总经理将此次新品发布比作“科创浪潮中的精准落子”，强调芯合半导体始终以自主创新突破技术封锁、以协同创新筑牢产业根基，此次新品推出，正是对产业需求的精准回应。未来，芯合半导体将持续坚守核心技术自研、深化产业链协同，深度服务新能源汽车、光伏储能、工业电源等战略性产业领域。

芯合半导体首席科学家 王敬教授

王老师对SiC MOSFET系列产品进行了宣讲。他明确指出，从核心电参数到量产能力，从高温稳定性到高可靠性，芯合半导体SiC MOSFET系列产品已全面达到国际领先水准。依托自主核心技术与严苛品控体系，该系列产品可向新能源汽车、光伏储能、工业电源等关键领域，提供 “长效稳定、极致安全”的高性价比解决方案。

芯合半导体副总经理 单卫平

作为此次发布会主持人，单卫平副总经理向参会的所有投资人、客户、行业专家及各界朋友致以由衷感谢，并郑重承诺未来将以更卓越的产品、更优惠的价格、更完善的服务持续为客户创造价值。

芯合半导体总助/研发总监赵海明博士发布新品

新发布的1200V/9mΩ芯片及8吋碳化硅晶圆

随后，赵博士向与会嘉宾隆重推出芯合半导体最新产品——1200V/9mΩ SiC MOSFET。其导通电阻为8.8mΩ，击穿电压为1580V，175℃下的阈值电压为2.1V，推荐栅极工作电压为-4V/18V，比导通电阻为2.3mΩ·cm²，达到行业领先水平。该产品将助力电力电子系统实现更高能效、更小体积和更低成本，有望在新能源汽车主驱、大功率商业储能、低空飞行器等领域发挥重要作用。

此后，钧联副总经理贾华香、欣锐科技研发总监贾民立、鑫鸿海董事长巩家忠、英嘉通功率部总监黄小蕾四位行业专家深入探讨了芯合半导体碳化硅芯片在新能源汽车主驱、OBC/DCDC、光储充、PD及家电等场景的应用优势及技术发展趋势。

最后，赵清总经理主持了“碳化硅产业创新与协同发展”圆桌论坛。智鸥驱动汲自强董事长、安徽巨一张红玉总监、深圳小镓伙黄锦乾总经理、中恒微袁磊董事长、深向科技李杰总监、第三代半导体产业技术创新战略联盟杨兰芳副秘书长受邀出席。嘉宾们聚焦产业痛点、凝聚行业共识，围绕碳化硅产业的技术创新方向、供应链协同模式与生态构建路径等方面展开热烈讨论。

随着圆桌论坛环节的圆满结束，本次“芯” 纪元・“合” 未来新品发布会也正式落下帷幕。此次盛会不仅成功搭建了功率半导体领域深度对话的高端平台，更通过凝聚行业智慧，为碳化硅产业创新突破与生态协同注入了强劲动力。芯合半导体将以此次发布会为新起点，持续深耕功率半导体核心技术，以更具竞争力的产品与解决方案赋能新能源汽车、光伏储能、工业电源等关键领域，与行业同仁共同书写功率半导体国产化的崭新篇章。