芯合半导体参与制定的《SiC MOSFET 阈值电压测试方法》等9项标准正式发布

11月19日，由芯合半导体参与制定的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布。

在第十届国际第三代半导体论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的这一系列标准，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天迫切需要能够在高压、小散热体积、低损耗要求下工作的电子器件。

SiC MOSFET的阈值电压与测试方法有很大关系，此前测试缺少统一标准，对SiC MOSFET的评价和推广造成很大障碍。此次，芯合半导体参与制定的“SiC MOSFET阈值电压测试方法”为SiC MOSFET阈值电压的准确测试提供支撑，对SiC MOSFET的测试评价和推广具有重要意义。